燕东微硅光芯片实现量产突破

发布时间:2024-08-27 19:50

近日,燕东微发布2024年半年度报告。报告显示,燕东微在研发投入方面持续保持强劲增长,尤其在硅光新领域取得了显著进展,彰显出在技术创新和市场拓展方面的卓越实力。

研发投入持续加大,核心竞争力不断增强。在当前激烈的市场竞争环境下,燕东微始终坚持创新为核心的发展战略,不断加大新品研发投入,积极推动产品更新换代。上半年研发费用达到11332.63万元,同比增长16.56%。新增专利21个,其中发明专利8个,累计拥有专利数达399个,发明专利85个。在研发强度不断加大的推动下,燕东微产品应用领域不断拓展,除了在新能源汽车、工业控制、消费电子等传统应用领域保持长期稳定的供货外,射频功率器件产品也成功应用于射频广播、移动无线电、射频能源以及工业、科研、医疗等多个具有战略重要性的行业领域,市场地位得到进一步巩固和提升。

硅光工艺全面提升,优势地位持续巩固。近年来,燕东微持续增加的研发投入开始显现成效,今年上半年更是在硅光技术领域取得重大突破,实现了硅光工艺平台产品量产这一里程碑式成就。据了解,燕东微自主研发的SiN硅光工艺技术可通过化学气相淀积(CVD)及复杂图形的光刻与刻蚀,实现无裂纹的化学计量Si3N4薄膜的淀积和低侧壁粗糙度刻蚀,波导损耗达到行业先进水平,在光通信、光互连、激光雷达等产品的规模化量产上取得显著成效。在SiN硅光工艺平台方面取得关键性突破,成功开发5款新产品并顺利转入量产阶段,月产能达到1000片,产品良率高达95%以上。同时,8英寸相关硅光产品方面实现市场化销售,12英寸硅光关键工艺的开发取得良好市场反响,为未来燕东微在硅光领域的持续发展奠定了坚实基础。

展望未来,燕东微将继续加大科研投入,深耕硅光芯片领域,不断推动技术创新与产业升级,积极拓展产品应用领域,持续扩大市场规模、提升产能,在激烈的市场竞争中以强大的科技创新能力保障产业领先优势。

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